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低頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀阻抗儀概述GDAT-S是具有多種功能和更高測(cè)試頻率的新型阻抗分析儀,體積小,緊湊便攜,便于上架使用。本系列儀器基本精度為0.05%,測(cè)試頻率87高1MHz及10mHz的分辨率,4.3寸的LCD屏幕配合中英文操作界面,操作方便簡(jiǎn)潔。集成了變壓器測(cè)試功能、平衡測(cè)試功能,提高了測(cè)試效率。儀器提供了豐富的接口,能滿足自動(dòng)分選測(cè)試,數(shù)據(jù)傳輸和保存的各種要求。
時(shí)間:2024-08-16
北京市絕緣油介質(zhì)與體積電阻率測(cè)試儀概述絕緣油介質(zhì)損耗及電阻率測(cè)試儀是依據(jù)GB/T5654-2007《液體絕緣材料 相對(duì)電容率、介質(zhì)損耗因數(shù)和直流電阻率的測(cè)量》設(shè)計(jì)制造的高精密一體化檢測(cè)儀器。
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北京市導(dǎo)熱硅脂工頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀直徑為10cm或更大些,需要測(cè)低損耗因數(shù)值時(shí),很重要的一點(diǎn)是導(dǎo)線串聯(lián)電阻引入損耗要盡可能地小。 厚度的選取決定于試樣的制備方法和各點(diǎn)間厚度的變化,對(duì)1%的精確度來(lái)講,1.5mm的厚度就足夠了。
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北京市工頻介電常數(shù)測(cè)試儀電橋采用接觸電阻小,機(jī)械壽命長(zhǎng)的十進(jìn)開(kāi)關(guān),保證測(cè)量的穩(wěn)定性 儀器具有雙屏蔽,能有效防止外部電磁場(chǎng)的干擾。
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北京市介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀 測(cè)量范圍及誤差 本電橋的環(huán)境溫度為20±5℃,相對(duì)濕度為30%-80%條件下,應(yīng)滿足下列表中的技術(shù)指示要求。 在Cn=100 pF R4=3183.2(Ω)時(shí) 測(cè)量項(xiàng)目測(cè)量范圍測(cè)量誤差 電容量Cx40pF—20000pF±0.5% Cx±2pF 介損損耗tgδ0-1±1.5% tgδx±0.0001 在Cn=100 pF R4=318.3(Ω
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北京市諧振法測(cè)試儀性能特點(diǎn): 平板電容器 極片尺寸:φ25.4mm\\φ50mm 極片間距可調(diào)范圍和分辨率:≥10mm,±0.01mm 園筒電容器 電容量線性:0.33pF / mm±0.05 pF 長(zhǎng)度可調(diào)范圍和分辨率:≥0~20mm,±0.01mm 夾具插頭間距:25mm±1mm 夾角損耗角正切值:≤4×10-4(1MHz時(shí))
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北京市工頻介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀符合GB1409、GB5654 及GB/T1693, ASTM D150-1998(2004) 固體電絕緣材料的交流損耗特性及介電常 數(shù)的試驗(yàn)方法其采用了西林電橋的經(jīng)典線路,內(nèi)附0-2500的數(shù)顯高壓電源及 100PF標(biāo)準(zhǔn)電容器,并可按用戶要求擴(kuò)裝外接標(biāo)準(zhǔn)電容線路。
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北京市高頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀GDAT儀器的技術(shù)指標(biāo) Q值測(cè)量范圍:2~1023 Q值量程分檔:30、100、300、1000、自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔; 電感測(cè)量范圍:14.5nH~8.14H 自身殘余電感和測(cè)試引線電感的自動(dòng)扣除功能 電容直接測(cè)量范圍:1~460pF 主電容調(diào)節(jié)范圍: 30~500pF
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北京市橡膠介電常數(shù)測(cè)試儀測(cè)量項(xiàng)目測(cè)量范圍測(cè)量誤差 電容量Cx40pF—20000pF±0.5% Cx±2pF 介損損耗tgδ0-1±1.5% tgδx±0.0001 在Cn=100 pF R4=318.3(Ω)時(shí) 測(cè)量項(xiàng)目測(cè)量范圍測(cè)量誤差 電容量Cx4pF—2000pF±0.5% Cx±3pF 介損損耗tgδ0-0.1±1.5% tgδx±0.0001
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